এই OCV আৰু আভ্যন্তৰীণ প্ৰতিৰোধ পৰীক্ষকে গভীৰ কোষ নিদান আৰু প্ৰক্ৰিয়া বৈধকৰণৰ বাবে এটা অপৰিহাৰ্য অভিযান্ত্ৰিক সঁজুলি হিচাপে কাম কৰে। মৌলিক পৰীক্ষণৰ বাহিৰেও, এই লিথিয়াম আয়ন বেটাৰী পৰীক্ষণ মেচিনে মুক্ত চাৰ্কিট ভল্টেজৰ সূক্ষ্ম পৰিৱৰ্তন (ৰাসায়নিক স্থিৰতাৰ সূচক)ক নিখুঁত আভ্যন্তৰীণ প্ৰতিৰোধ জোখৰ সৈতে (যান্ত্ৰিক আৰু আন্তঃপৃষ্ঠৰ অখণ্ডতাক প্ৰতিফলিত কৰি) সম্পৰ্কিত কৰি বিফলতা বিশ্লেষণৰ বাবে জটিল অন্তৰ্দৃষ্টি প্ৰদান কৰে।
যন্ত্ৰটোৱে প্ৰক্ৰিয়া অনুকূলনত উত্তম, অভিযন্তাসকলক ইলেক্ট্ৰ'ড আৱৰণ, কেলেণ্ডাৰিং বা গঠন প্ৰাচলৰ ফলত হোৱা তাৰতম্যসমূহ চিনাক্ত কৰিবলৈ সক্ষম কৰে। বিন্যাসযোগ্য পৰীক্ষা সময়সূচী, উচ্চ জোখৰ স্থিৰতা, আৰু MES ব্যৱস্থাপ্ৰণালীত নিৰৱচ্ছিন্ন সংহতিৰ সৈতে, ই মূল-কাৰণ বিশ্লেষণ আৰু অবিৰত উন্নতিৰ বাবে কাৰ্য্যকৰী তথ্য প্ৰদান কৰে। ই কেৱল চূড়ান্ত গুণগত নিয়ন্ত্ৰণৰ বাবেই নহয়, কেঁচামালৰ বৈধকৰণ, কোষ বেচসমূহ অডিটিং, আৰু সমগ্ৰ অনুসন্ধান আৰু বিকাশ, উৎপাদন, আৰু ক্ষেত্ৰৰ ৰিটাৰ্ণ বিশ্লেষণৰ সময়ত পৰিৱেশন সমস্যাসমূহৰ সমস্যা সমাধানৰ বাবেও অতি প্ৰয়োজনীয়।
স্পেচিফিকেশন আৰু প্ৰয়োগৰ পৰিসৰ
|
|
আকাৰ |
সামঞ্জস্যতাৰ পৰিসৰ |
|
কোষৰ উচ্চতা (H) |
১১৮~২১০মিমি |
|
|
কোষৰ প্ৰস্থ (W) |
১৩০~১৭৩মিমি |
|
|
কোষৰ বেধ (T) |
৩৬~৭২মিমি |
ডিভাইচ গঠন
মডেল: SZO-OCV-SD-02
এই ডিভাইচ তিনিটা উপাদানৰে গঠিত: এটা স্কেনিং চিস্টেম, এটা পৰীক্ষা ফিক্সচাৰ, আৰু এটা OCV পৰীক্ষণ চিস্টেম।
স্কেন ক'ড ব্যৱস্থাপ্ৰণালী
কোষটো নিজেই স্কেন কৰক।
স্কেন কৰাৰ পিছত কোষৰ তথ্যসমূহ হ’ষ্ট কম্পিউটাৰ চফট্ ৱেৰলৈ আপলোড কৰক।
ৰবটিক আৰ্ম চিষ্টেম পৰীক্ষা কৰক
পৰীক্ষাৰ ফিক্সচাৰটোত এটা উত্তোলন ব্যৱস্থা, এটা পৰীক্ষাৰ প্ৰ’ব ব্যৱস্থা আৰু এটা কোষৰ অৱস্থান নিৰ্ণয় ব্যৱস্থা থাকে।
QR ক’ড স্কেনিং সম্পূৰ্ণ হোৱাৰ পিছত পজিচনিং মেকানিজমে বেটাৰী চেলটো স্থান দিব। এবাৰ অৱস্থান সম্পূৰ্ণ হ'লে, পৰীক্ষা ৰবট আৰ্মে বেটাৰী কোষত এটা মুক্ত-বৰ্তনী ভল্টেজ (OCV) পৰীক্ষা সম্পন্ন কৰিবলৈ প্ৰ'ব ব্যৱস্থাৰ সৈতে নামিব।
পৰীক্ষামূলক প্ৰেছিঙে চিলিণ্ডাৰ পদ্ধতি গ্ৰহণ কৰে।
OCV পৰীক্ষা ব্যৱস্থা
এই ব্যৱস্থাত পৰীক্ষা যন্ত্ৰ আৰু পৰীক্ষা কেবল অন্তৰ্ভুক্ত কৰা হৈছে।
সঁজুলি পৰিচালনাৰ পদ্ধতি
অৰ্হতা
|
সঁজুলিৰ গঠন |
||
|
অৰ্ডাৰ নম্বৰ |
প্ৰকল্প |
কাৰিকৰী প্ৰাচল |
|
1 |
ডিভাইচ চেনেল গণনা |
প্ৰতিটো পৰীক্ষাত ১টা বেটাৰী পৰীক্ষা কৰক |
|
2 |
মেচিনৰ ৰং |
ষ্টেণ্ডাৰ্ড উষ্ণ 1C (স্বনিৰ্বাচিত) |
|
3 |
কাম কৰা শক্তি যোগান |
AC220V±10% তিনিটা-ফেজ পাঁচ-তাঁৰ, 50HZ |
|
4 |
কৰ্ম পৰিৱেশ |
পৰিৱেশৰ উষ্ণতা: ১০-৪০ ডিগ্ৰী ; আপেক্ষিক আৰ্দ্ৰতা: ৬০%তকৈ কম বা সমান |
|
5 |
কামৰ বায়ুৰ উৎস |
০.৫-০.৮MPa |
|
6 |
উদ্যোগৰ ক্ষমতা |
১.০কিলোৱাটতকৈ কম বা সমান |
|
7 |
সঁজুলিৰ ওজন |
৫০০ কিলোগ্ৰামতকৈ কম বা সমান |
|
পৰীক্ষণ সংস্থা |
||
|
অৰ্ডাৰ নম্বৰ |
প্ৰকল্প |
কাৰিকৰী প্ৰাচল |
|
1 |
প্ৰ'ব |
কাৰেণ্টৰ বেজীটো দাঁতযুক্ত আৰু মূৰটো সোণৰ-প্লেট কৰা হয় যাতে কাৰেণ্ট পাছ আৰু ভল্টেজৰ নমুনা সংগ্ৰহৰ সঠিকতা নিশ্চিত হয় |
|
2 |
প্ৰ'ব প্ৰেছ কাউণ্ট |
২০,০০০ গুণতকৈ অধিক বা সমান |
|
3 |
প্ৰ'ব সংস্পৰ্শ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা |
5mΩ তকৈ কম বা সমান |
|
অ’চিভি ব্যৱস্থা |
||
|
অৰ্ডাৰ নম্বৰ |
প্ৰকল্প |
কাৰিকৰী প্ৰাচল |
|
1 |
পৰীক্ষা কেবল |
টুইষ্টেড শ্বিল্ডেড পেয়াৰ |
|
2 |
পৰীক্ষাৰ যন্ত্ৰপাতি |
ৰ’দ দিয়া |
|
3 |
ভল্টেজ পৰীক্ষাৰ সঠিকতা |
±(০.০০৩৫% ছেট+0.0005% এফ এছ) |
|
4 |
ভল্টেজ ৰিজ’লিউচন |
10μV |
|
5 |
আভ্যন্তৰীণ প্ৰতিৰোধ পৰীক্ষাৰ পৰিসৰ |
0-3mΩ |
|
6 |
আভ্যন্তৰীণ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা পৰীক্ষা |
±০.৫%rdg.±১০dgt |
|
7 |
আভ্যন্তৰীণ প্ৰতিৰোধৰ ৰিজ’লিউচন |
0.1μΩ |
|
8 |
জি আৰ আৰ |
১০%তকৈ কম বা সমান |
|
9 |
শূন্য প্লেট |
'গং' চৰিত্ৰ-আকৃতিৰ ডিজাইন [নিপ্পন ইলেক্ট্ৰিক কোম্পানী, লিমিটেডৰ দ্বাৰা BT3562 ৰ প্ৰথম সংস্কৰণ (A980-00) ত উল্লেখ কৰা অনুসৰি, পৰিশিষ্ট 12, 9454 ৰ বাবে শূন্য-সামঞ্জস্য নীতিৰ বিশদ বিৱৰণ] |
|
10 |
আভ্যন্তৰীণ প্ৰতিৰোধ মাষ্টাৰ ব্লক |
মানক ৰেজিষ্টেন্স মান ২৫ mΩ ± ০.৫ mΩ |
|
11 |
স্থানীয় নিৰীক্ষণ কম্পিউটাৰ |
বিন্যাসৰ প্ৰয়োজনীয়তাসমূহ (পক্ষ A দ্বাৰা প্ৰদান কৰা): অপাৰেটিং চিষ্টেম: উইণ্ড’জ ১০ বা তাৰ পিছৰ চীনা সংস্কৰণ ভাষা: সৰলীকৃত চীনা CPU: Intel Core i7 বা উচ্চতৰ মেমৰি: ১২জিবি বা তাতকৈ অধিক হাৰ্ড ডিস্ক: 1TB বা তাতকৈ অধিক ডিছপ্লে: ১৯ ইঞ্চি বা তাতকৈ অধিক এলচিডি ডিছপ্লে |